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存储器最新资讯



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三星披露 HBM4E 良率突破七成,第七代 DRAM 工艺锁定 11 月完成 PRA 认证

财联社7月1日援引三星内部经营会议消息,6月30日三星电子首席技术官兼半导体研究所所长在DS器件解决方案部门内部经营说明会上,对外披露两项存储核心...

三星 HBM4 2026/07/02
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AMD自适应SoC首次集成封装上内存

据AMD官方6月30日发布产品公告、DOIT、科创板日报同步报道,AMD正式推出Versal Premium Gen2 MoP自适应系统级芯片,该产品是AMD Versal系列首款采用Mo...

AMD 2026/07/02
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消息称三星重启SF1.4工艺商业化,提前启动设备研发

据台湾电子时报援引产业消息,三星电子晶圆代工业务已经重新启动1.4纳米制程(SF1.4)的商业化开发工作,并且已经向上下游合作设备厂商下达安排,要求...

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江波龙:建设完成mSSD月产能百万交付能力

6月30日,江波龙对外公布产能建设最新进展,公司mSSD高速存储介质项目迎来产业化关键里程碑。目前企业已经完成产线建设与工艺爬坡,顺利搭建起月产能...

存储器 2026/07/01
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赋能AI算力!Kingston DC3000ME Gen5 U.2数据中心固态硬盘评测

在数据爆炸式增长的今天,存储性能与算力同等重要,,成为制约AI落地的关键瓶颈。无论是海量训练数据的高速加载,还是实时推理场景的并发读写,都对企...

固态硬盘 2026/06/29
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高通推出HBC近内存计算架构,配套两代AI加速器公布迭代时间表

当地时间6月25日,高通在2026投资者日活动上,正式发布面向AI数据中心的高带宽计算架构HBC(High-Bandwidth Compute),旨在破解AI推理业务中的存储墙...

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美光第三财季营收大幅超出预期,同比增幅超三倍

美东时间6月24日周三盘后,存储厂商美光科技发布2026财年第三财季财报,本财季统计区间为3月至5月。 财报数据显示,公司第三财季总营收达到414.6亿...

2026/06/25
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群联电子潘健成预警NAND闪存长期紧缺,订单已排至2027年上半年

近日,群联电子执行长潘健成表示,当前全球NAND Flash整体供给持续收紧,市场缺货程度深不见底。他对行业供需节奏作出明确预判,2026年下半年闪存供需...

NAND Flash 2026/06/24
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三星电子推出UFS 5.0闪存,读写带宽相较UFS 4.1翻倍

2026年6月23日,三星电子对外发布官方消息,正式推出通用闪存存储UFS 5.0产品系列。 官方披露,UFS 5.0基于三星第九代V-NAND(V9)闪存技术打造,...

三星 2026/06/24

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