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2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正...
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2026年5月23日，东芯半导体股份有限公司（简称“东芯股份”）发布官方公告，公司已于5月22日召开第三届董事会第十二次会议，审议通过发行境外上市股份（...
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日前美光位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片。 据介绍，1α DRAM节点是美国本土有史以来最先进的内存技术，非常适合用于...
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·在HBM封装内集成冷却元件（ICE），优化高热集中区域的散热路径 ·热阻降低30%以上，确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性 ·采用经市场充分验...
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英特尔与软银旗下SAIMEMORY合作研发的Z-Angle Memory（ZAM）技术持续引发业界高度关注。在6月即将举办的2026年超大规模集成电路研讨会（VLSI Symposiu...
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随着AI运算规模持续扩张，内存容量与带宽需求节节攀升，现有GPU搭配高带宽内存的架构逐渐触及性能天花板。据ZDNet援引韩国头部存储厂商研发人员表述，...
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芝奇国际将于台北国际电脑展 (Computex 2026) 展示多款全新高效能内存产品，涵盖电竞超频、服务器、AI应用、工作站及工控等多元领域，提供各式客...
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在人工智能等市场需求推动下，存储产业已进入新一轮上行景气周期。近期，国内一批A股存储厂商在2026年一季度财报中交出了亮眼成绩。 据全球半导体...
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近日，据《科技日报》报道，美国佐治亚理工学院电气与计算机工程学院Asif Khan团队宣布，成功研制出基于氧化铪铁电材料的新型NAND闪存。该产品兼具AI...
