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2026年5月29日–世界知名超频内存及高端电竞设备领导品牌，芝奇国际展示全新 32GB(16GBx2) 容量的超高速 DDR5 CU-DIMM 内存，仅需以 1.1V 超低电压...
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三星电子宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产HBM4E。...
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香农芯创在业绩说明会上表示，公司与SK海力士是长期合作伙伴，代理权稳定。公司企业级SSD进展顺利，目前已经和国内主流算力设备厂商完成验证对接并取...
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近日，深圳——深耕存储行业的康盈半导体，正式迎来品牌发展全新起点。企业全新办公场地于前海人寿大厦正式启用，标志着公司进入发展的全新阶段。5月25...
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据韩媒ZDNET Korea援引业内消息人士报道，铠侠（KIOXIA）将第十代BiCS FLASH（BiCS10）3D NAND闪存量产计划推迟至2027年，较此前曝光的2026年计划延后...
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2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正...
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2026年5月23日，东芯半导体股份有限公司（简称“东芯股份”）发布官方公告，公司已于5月22日召开第三届董事会第十二次会议，审议通过发行境外上市股份（...
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日前美光位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片。 据介绍，1α DRAM节点是美国本土有史以来最先进的内存技术，非常适合用于...
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·在HBM封装内集成冷却元件（ICE），优化高热集中区域的散热路径 ·热阻降低30%以上，确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性 ·采用经市场充分验...
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