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3月16日，在中关村论坛 “北京基础研究和技术攻关成效” 发布活动上，清华大学材料学院宋成教授团队宣布在新型磁存储领域取得关键突破，为研发兼具超高...
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2026年，全球存储器行业在AI等需求驱动下进入了高增长周期。随着DRAM与NAND Flash市场供需关系持续紧张，行业主要厂商的业绩大幅提升。美光、三星和SK...
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近日，据韩国经济日报报道，三星电子计划向OpenAI供应其下一代高带宽内存（HBM4）芯片，用于这家ChatGPT开发商的首款自研人工智能处理器。去年，三星...
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美东时间周三，美国存储芯片大厂美光公司发布了最新季度财报。财报显示，在截至2月末的2026财年第二财季，公司营收几乎增长了两倍，超出分析师预期，...
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3月17日，北京君正在深交所互动易平台回应投资者提问时表示，目前公司DRAM芯片、Flash芯片及部分计算芯片价格均有调整，DRAM新制程产品已正式启动销售...
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据韩国媒体 BusinessKorea 报道，全球半导体巨头三星电子（Samsung Electronics）近日正式确认，已启动第八代高带宽内存 HBM5 的开发工作。在这一代产...
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3月17日，韩国SK集团董事长崔泰源在美国加州圣何塞举行的英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持...
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慧荣科技（NasdaqGS: SIMO）作为设计和推广固态存储设备NAND闪存主控芯片的全球领先的企业之一，今日宣布将在NVIDIA GTC 2026的3015号展台展示丰富的...
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