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存储器最新资讯



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挑战HBM主流地位!英特尔押注ZAM内存技术

英特尔Z-Angle Memory(ZAM)技术已接近研发完成,正全力投入AI市场浪潮,试图挑战HBM作为高带宽内存主流方案的地位。 作为高带宽、大容量市场的重...

2026/05/08
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铠侠闪迪实现技术突破,千层 3D NAND 研发迈出关键一步

全球 3D NAND 正加速向 300 层及更高规格迭代,铠侠联合闪迪率先在超高密度堆叠技术上取得关键进展。据业内媒体披露,双方依托晶圆间铜直接键合工艺,...

闪存 2026/05/06
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三星 SK 海力士美光齐发力,DDR6 内存正式启动前期研发

受 AI 算力与高带宽数据传输需求拉动,全球主流存储厂商已全面启动下一代 DDR6 内存前置研发工作。据业内媒体消息,三星电子、SK 海力士、美光三大存...

三星 2026/05/06
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韩媒:SK海力士完成12层混合键合HBM验证

据外媒The Elec报道,SK海力士混合键合工艺HBM产品良率实现改善,不过公司并未披露具体良率数值。SK海力士技术负责人金钟勋表示,采用混合键合技术的1...

2026/05/01
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工信部:保障存储器产业链供应链稳定

4月21日,国新办举行新闻发布会介绍2026年一季度工业和信息化发展情况。 近期存储器价格上涨,引发手机终端产品价格调整,受到各界广泛关注。...

存储器 2026/04/22
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美光加入3GB GDDR7竞赛,已开始投产

随着三星和SK海力士已经在高容量GDDR7竞争中站稳脚跟,美光成为最新加入这一领域的重量级企业,已经开始推出24Gb(3GB)GDDR7模块,额定速度分别为28...

2026/04/22
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智算筑基,存储先行:闪迪携领先闪存解决方案亮相AIIC 2026

2026年,全球人工智能应用正迎来规模化部署的关键拐点。今年1月底,一款开源AI智能体横空出世,这款能真正操控电脑、自主执行任务的"数字员工"迅速引...

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三星电子停止接单LPDDR4及LPDDR4X产品

据韩国媒体The Elec报道,三星已停止接受LPDDR4及LPDDR4X两款低功耗移动DRAM产品的新订单,官网产品目录也已移除相关型号。目前,三星仅对尚未收到货...

三星 2026/04/20
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时空科技拟 10.78 亿元收购嘉合劲威 跨界切入半导体存储赛道

4 月 17 日晚间,北京新时空科技股份有限公司发布重大资产重组草案,披露拟通过发行股份及支付现金相结合的方式,作价 10.78 亿元收购深圳市嘉合劲威...

存储器 2026/04/20

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