Smartphone用Mobile DRAM受合约价大幅上扬带动，供应持续紧缺，整体市场营收显著跃升，四大供货商主导格局稳固。展望3Q26，供紧格局延续但价格涨幅收敛，产值增速将同步放缓。
全球 DRAM 厂商加速新厂建置与资本支出，新产能将于后年起分阶段释放。随着各大原厂无尘室与装机推进，大规模产能预计于后续数年间陆续开出，推动产业结构性供给扩张，实际位元产出仍受建厂变量与产品验证时程影响。
全球CSP资本支出强劲，带动AI服务器需求稳健成长，北美与中系业者同步扩大机柜采购并加速自研芯片布局，NeoCloud模式渐成基础设施成长重要动能。
DRAM市场合约价涨幅稳健，现货交投低迷且小幅走扬。随着供需吃紧，三大原厂规划长期新厂扩产，透过既存厂区放量与新厂启动，驱动未来数年产能与位元供给显著成长，并将视市场需求动态调整产能，维系产业健康运作。
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消费型存储器供不应求，合约价维持上涨，惟涨幅受买方成本承受力限制而收敛，现货市场则持续观望。技术面聚焦软件开源与zHBM垂直堆栈架构，以提升系统效能与能源效率。受云端需求支撑，中短期合约价仍有支撑；惟业者加速扩产，长期产值与价格预期面临下行压力。
超大型CSP业者持续加码资本支出，带动AI服务器出货显著扩张，鸿海、纬创、广达等ODM厂积极承接英伟达与超威机柜订单，芯片与液冷散热技术同步升级，供应链成长动能延续至明后年。
DRAM部分应用合约价商谈延至八月。现货市场呈横向整理，买卖双方缺乏共识致成交有限。两大韩厂公布Q2财报，CSP强劲需求持续带动营运动能，且陆续完成LTA签署。
随终端库存回补与需求转弱，采购议价急迫性下降，3Q26 合约价的议定时程恐进一步延后。价格方面，Samsung因前季报价已处高点，本季涨幅明显收敛；SK hynix与CXMT若以对齐价差为目标，涨势则相对显著。TrendForce预估整体涨幅将较上季收敛至「季增8-13%」。展望4Q26，在终端需求疲弱与库存偏高的压力下，涨幅预期进一步收敛；惟原厂产能持续向server与HBM倾斜的趋势不变，将成为该季合约价维持不坠的重要支撑。
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