研究报告


AI 架构重塑市场:存储器产业营收将连年创高 - 展望 2027

高科技产业研究报告

icon

发布日期

2026-01-20

icon

更新频率

不定期

icon

报告格式

PDF

icon

会员方案

  • 白金_简


    报告介绍

    TrendForce指出,AI架构升级引领存储器结构性需求,DRAM与NAND Flash成关键资源。受惠CSP扩大投资,供需失衡推升价格与产值屡创新高。在高效运算强劲支撑下,供货商掌握定价权,缺货态势难解,整体市场营收成长动能将长期看涨。

    重点摘要

    • AI驱动结构变革:AI创新使存储器成为基础架构核心,CSP争夺资源带动DRAM与NAND Flash报价与产值逐年创高。
    • DRAM涨势凌厉:受惠高带宽需求及服务器建置提速,DRAM价格涨幅显著超越历史循环,成为供货商产能布局重心。
    • SSD需求扩大:AI代理系统与检索增强生成(RAG)技术需频繁存取数据,推升高IOPS企业级SSD需求与NAND Flash涨势。
    • 卖方掌握话语权:市场缺货态势难解,供货商握有合约定价权,预期在AI软硬件同步推进下,强劲营收动能将延续至未来数年。

    目录

    1. AI运算架构升级推升存储器市场产值有望于2027年再创高峰,估年增率超过50%
      • Projected Market Value of DRAM and NAND Flash

    <Total Pages: 4>

    Projected Market Value of DRAM and NAND Flash


    报告分析师

    敖国锋

    王豫琪




    白金_简 相关报告



    存储器产业展望:2026-2027年DRAM与NAND资本支出与营收分析

    2026/10/01

    内存 , 闪存

     PDF

    AI需求强劲推升HBM与服务器产品获利,排挤消费性产能,带动存储器合约价与营收爆发性成长。DRAM原厂大幅扩增资本支出建造新厂,供不应求将延续至后年;NAND Flash则因资源优先排给DRAM且受限于无尘室空间,投资意愿保守,仅靠技术升级带动位元成长。

    2026年第四季存储器价格展望

    2026/09/24

    内存 , 闪存

     PDF

    受CSP追加采购带动,4Q26 DRAM与NAND Flash合约价延续上涨,惟涨势由AI单引擎主导。原厂产能持续倾斜server与HBM,排挤消费性应用供给;消费端受成本转嫁冲击出货,仅维持最低采购,各品类涨幅明显分歧。

    全球存储器供需分化:2027年DRAM结构性紧缩与NAND Flash供给过剩分析

    2026/07/28

    内存 , 闪存

     PDF

    DRAM因人工智能服务器需求强劲与HBM产能排挤,加上新厂实际产出递延,供给持续紧缩,延续卖方市场;NAND Flash则受惠于新产能陆续释放与消费端需求疲弱,供需结构转趋宽松,下半年将面临价格修正压力,两者循环呈现明显分化。




    会员方案





    分類