研究报告


全球存储器供需分化:2027年DRAM结构性紧缩与NAND Flash供给过剩分析

高科技产业研究报告

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发布日期

2026-07-28

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更新频率

不定期

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报告格式

PDF

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  • 白金_简


    报告介绍

    DRAM因人工智能服务器需求强劲与HBM产能排挤,加上新厂实际产出递延,供给持续紧缩,延续卖方市场;NAND Flash则受惠于新产能陆续释放与消费端需求疲弱,供需结构转趋宽松,下半年将面临价格修正压力,两者循环呈现明显分化。

    重点摘要

    • DRAM 供给端:业者虽调升资本支出与扩充产能,但受限于机台移入进度、建厂时程与先进制程长周期影响,实际显著产出延后,且HBM大幅耗费晶圆,导致整体供给成长放缓,产能结构性紧缩。
    • DRAM 需求端:人工智能与通用服务器驱动需求强劲;消费型终端受零组件成本过高冲击换机意愿,但客户防御性提前拉货,使市场供不应求缺口进一步扩大。
    • NAND Flash 供给端:各大原厂新产能陆续开出,加上加速转进超高层数技术与提升特定产品比重,市场整体产出规模大幅扩张。
    • NAND Flash 需求端:企业级固态硬盘采购力道强劲,惟消费性电子受售价调涨压抑买气;整体供需转趋宽松,下半年面临价格修正压力,除非新技术普及显著拉动需求。

    目录

    1. 2027年DRAM产能受限持续紧缩,NAND Flash新产能开出导致供需反转
    2. DRAM买方防御性备货扩大,2027年供需缺口延续卖方市场格局
    3. 新产能开出与消费端需求疲弱,2027年NAND Flash供需转趋宽松
      • DRAM & NAND Flash Sufficiency Ratios

    <Total Pages: 5>

    DRAM & NAND Flash Sufficiency Ratios


    报告分析师

    TrendForce




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