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据韩国媒体 BusinessKorea 报道，全球半导体巨头三星电子（Samsung Electronics）近日正式确认，已启动第八代高带宽内存 HBM5 的开发工作。在这一代产...
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3月17日，韩国SK集团董事长崔泰源在美国加州圣何塞举行的英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持...
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慧荣科技（NasdaqGS: SIMO）作为设计和推广固态存储设备NAND闪存主控芯片的全球领先的企业之一，今日宣布将在NVIDIA GTC 2026的3015号展台展示丰富的...
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·3月16日至19日，参加在美国圣何塞举行的“英伟达GTC 2026” ·以“聚焦AI存储器”为主题参展，亮相面向AI的全系列存储器产品 ·崔泰源会长、郭鲁正CEO等...
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台北，台湾 — 随着越来越多玩家选择 AMD Ryzen 系列平台，打造新世代 DDR5 游戏主机，v-color 全何科技正式推出全新 1+1 DDR5 内存与虚拟灯条解决...
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慧荣科技（NasdaqGS: SIMO）作为设计和推广固态存储设备NAND闪存主控芯片的全球领导者，今日宣布推出SM8008，这是一款PCIe Gen5 x4 NVMe企业级SSD主控...
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3月13日，据媒体援引未具名业内人士的话报道，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院...
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中微半导3月10日披露，公司于3月5日接受了70家机构的调研。公司表示，上个月发布的4M的SPI NOR Flash（闪存）于2014年11月立项研发，历时一年才研发成...
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美东时间周二，应用材料表示，已与存储芯片公司美光科技和SK海力士达成合作，共同开发下一代AI存储芯片。 应用材料公司宣布，美光和SK海力士将作为...
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