受 AI 算力与高带宽数据传输需求拉动，全球主流存储厂商已全面启动下一代 DDR6 内存前置研发工作。据业内媒体消息，三星电子、SK 海力士、美光三大存...

根据韩国媒体报道，三星位于美国德州泰勒市（Taylor）的晶圆代工厂即将启用，并采用先进的2纳米制程为特斯拉（Tesla）量产人工智能芯片。 《韩国时...

据韩国媒体The Elec报道，三星已停止接受LPDDR4及LPDDR4X两款低功耗移动DRAM产品的新订单，官网产品目录也已移除相关型号。目前，三星仅对尚未收到货...

近日据韩媒ETNews报道，三星电机（Samsung Electro-Mechanics）与LG Innotek正加快推进共封装光学（CPO）技术布局，已从概念阶段进入早期开发环节，并...

在人工智能需求激增的背景下，三星电子不仅在存储器领域提价，据《金融新闻》报道，这家芯片巨头自2026年初以来已将HBM4逻辑芯片的价格上调了约40%至5...

三星2nm工艺的良率挑战再次浮出水面。据《釜山日报》报道，消息人士透露，三星晶圆代工的2nm良率仍徘徊在50%左右，远低于稳定量产通常所需的约60%的良...

尽管JEDEC预计将放宽HBM的高度限制，将HBM4的高度上限从775微米（µm）提高到约900微米（µm），但业界仍在不断探索突破传统HBM架构结构限制的方法。...

随着内存成为超大规模数据中心自主研发人工智能芯片和大规模基础设施建设的关键瓶颈，长期供应协议正迅速成为新的行业标准，其期限也比之前预期的更长...

据Wccftech报道，三星电子正开始在存储产品中导入开源指令集。三星新一代SSD产品线BM9K1将采用自研控制器芯片，并首次以RISC-V架构为核心，借此降低对...