当地时间10月20日，马斯克在SpaceX电话会议上对外披露合资芯片制造企业Terafab的开发时间表。SpaceX与特斯拉联合设立的Terafab，计划在2028年第三季度实现量产；项目内部目标设定，在明年5月至6月期间，位于美国得州奥斯汀的Terafab研发基地，产出首款搭载静态随机存取存储器（SRAM）电路的测试芯片并成功上电运行。
马斯克在会议中主动提示，该时间规划预留了较大误差区间，项目落地存在不确定性，整体时间表具备较高挑战性。行业常规来看，美国一座前沿逻辑芯片晶圆工厂，从建设到投产周期通常达到三年甚至更久。按照规划，Terafab在德州拟建的综合厂区将集成先进逻辑芯片、存储芯片的制造、封装与测试能力，项目规划目标是每年可以输出1太瓦算力，产品供给人工智能、人形机器人业务使用。
SRAM是芯片工艺验证阶段非常经典的测试载体，业内普遍优先流片SRAM电路，用来检验光刻、刻蚀、薄膜等整套制程工艺的稳定性、良率水平，是新产线、新工艺节点打通前的标志性验证步骤，并不代表正式商用产品。奥斯汀研发基地承担前期工艺打磨、试验流片任务；未来量产主厂区选址于Grimes County原Gibbons Creek电厂地块，和奥斯汀研发设施分属不同场地。
公开信息显示，Terafab项目于2026年3月对外官宣，由特斯拉、SpaceX联合推进，核心出发点是满足特斯拉自动驾驶、Optimus人形机器人，以及SpaceX星链、内部AI集群持续增长的芯片需求。马斯克此前曾提及，两家企业长期芯片需求规模巨大，现有外部供应链供给难以匹配内部算力消耗，因此决定自建晶圆制造能力。项目在10月上旬已经举办破土动工仪式，启动场地清理与前期基建工作。
