10月10日，在上海举办的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇对外公布4F² DRAM架构取得关键研发进展，同时披露公司预计于2026年年底推出融合4F² DRAM架构、混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。长鑫科技自成立即开展4F²架构研究与专利布局，相关公开专利族超300件，专利数量处于海内外厂商前列，该产品面向服务器内存赛道，将接受服务器场景严苛的稳定性、兼容性测试。
曹堪宇在大会演讲中介绍，当前DRAM行业主流为6F²架构，F代表光刻工艺最小特征尺寸，4F²架构意味着单个存储单元仅占用4倍最小特征尺寸的平方，能够提升单位面积存储密度。长鑫科技4F²架构的核心创新为自研VSG垂直包围沟道晶体管，该结构可以强化栅控能力，改善漏电以及短沟道效应问题，晶体管垂直布局也有助于实现芯片面积微缩。从6F²转向4F²属于底层架构变革，原有设计与工艺流程无法直接复用，长鑫科技针对字线金属化、位线成型、结激活等关键工艺完成系列技术攻关。
公开信息显示，长鑫科技2021年发布国内首篇4F²架构相关学术论文，并分别在2023年、2025年对外披露该架构的迭代研发成果。本次大会并未公布新一代DDR5 RDIMM的具体硬件规格以及精确发布时点。DDR5 RDIMM作为服务器主流内存模组，需要适配服务器7×24小时不间断运行工况，要完成数百项CPU、主板兼容性测试，同时要保障高速信号传输过程中不发生衰减与误码，技术工程门槛较高。
2026年，长鑫科技已完成多项存储技术落地。8月，该公司LPDDR6实现量产，峰值传输速率12800Mbps，单颗芯片最高容量16GB；9月20日，第五代DRAM工艺平台正式量产，将内存阵列有源区半间距缩小至11.95纳米。9月28日，长鑫科技披露两项重大项目，研发项目规划总投资241亿元，后道测试基地二期规划总投资108亿元，建设测试工厂，完善DRAM IDM产业链布局。
