9月21日，芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称“芯联集成”）发布对外投资公告，披露了芯联先进集成电路制造(绍兴)有限公司（以下简称“芯联先进”）最新资本推进情况。
根据公告，芯联集成已累计完成对芯联先进的21.29亿元注册资本实缴，项目资本金落地进度稳步推进。
2026年6月9日，芯联集成与芯联先进及浙江绍兴杭绍临空示范区产业发展集团有限公司，签署了《合资框架协议》。根据协议，各方将合资经营芯联先进，作为芯联12英寸车规级数模混合芯片制造项目（以下简称“四期项目”）的实施主体。
此后芯联先进通过三轮增资扩股引入了多家投资机构：
2026年6月，芯联集成与芯联先进、绍兴柯桥芯合产业基金共同签署增资协议，其中绍兴柯桥芯合产业基金增资20.04亿元、芯联集成同步增资6.62亿元；
2026年7月，芯联集成与绍兴柯桥芯合产业基金、富浙绍芯集成电路产业基金签署增资协议，其中富浙绍芯集成电路产业基金向芯联先进增资3.5亿元；芯联集成同步追加1.17亿元增资。
2026年9月，芯联集成与芯联先进、绍兴柯桥芯合产业基金、富浙绍芯集成电路产业基金、工融金投、交银投资、中邮投资、农银投资、招银投资签署增资协议。其中，工融金投向芯联先进增资15亿元；交银投资增资9亿元；中邮投资增资9亿元；农银投资增资5亿元；招银投资增资2亿元；芯联集成再次同步完成13.4亿元的增资认购。
公告显示，截至目前，各方对芯联先进的出资认购已全部完成，芯联先进的合计注册资本达到84.83亿元。
据悉，芯联四期项目总投资约200亿元，拟建设一条5万片/月的12英寸集成电路数模混合芯片生产线，主要技术和产品方向为40/28纳米MCU/DSP、90/55纳米BCD/DrMOS等模拟电路、55纳米硅光/激光驱动等芯片。
值得一提的是，芯联集成55nm硅光芯片平台将面向数据中心光互连、AI集群通信、高速光模块三大应用。据介绍，在一期8英寸硅光芯片大规模扩产和三期基地12英寸90nm硅光技术的基础上，芯联集成四期将继续建设和扩大55nm硅光芯片产能，深入布局光互连技术。
作为国内知名的晶圆代工厂商，此前，芯联集成已顺利完成三期项目落地投产，其中一期建设8英寸硅基晶圆产线，二期建设硅基功率器件生产线并拓展碳化硅MOSFET、砷化镓VCSEL激光器及功率驱动等业务，三期实施12英寸数模混合芯片制造项目。
