长鑫科技第五代工艺技术平台官宣量产

长鑫科技于9月20日晚间发布自愿性披露公告，确认在2026世界制造业大会上，公司第五代DRAM工艺技术平台（G5平台）正式宣布量产，现场同步展出该平台开发的大容量LPDDR5X产品。

据企业介绍，G5平台依托四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，工艺水准接近全球顶尖内存量产节点。通过工艺革新与新材料应用，存储电容深宽比达到45:1；借助适配DRAM的高介电常数金属栅工艺，平台核心功能区高度压缩至6762纳米。工艺迭代带来存储密度大幅提升，同等基准下单片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在能效与成本方面具备优势。研发阶段，企业运用数字孪生系统覆盖研发制造全流程，并在鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺实现技术突破。

本次大会展出两款24Gb LPDDR5X产品，分别采用496Ball、245Ball封装规格，相较上一代同类型产品容量提升50%，已经进入规模量产，可用于中高端智能手机、便携消费电子，国产10667Mbps高速LPDDR5X实现落地，相关芯片已在终端机型完成搭载展示。

长鑫科技LPDDR6研发及导入进展同样取得了突破。

今年8月，长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并将首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。长鑫LPDDR6芯片性能较上一代 LPDDR5X实现全面跃升，通过架构创新及数据传输优化技术，充分释放数据传输潜力，峰值速率达12800Mbps，芯片最高容量16GB。