据韩国《每日经济新闻》援引行业消息，三星电子计划在美国得克萨斯州泰勒市投建第二座晶圆代工厂，主要为AMD、英伟达生产HBM配套的基础逻辑裸片。三星官方暂未对该消息予以确认。
报道显示，泰勒二厂预计于11月正式动工，这座新工厂规划产能已经获得客户预订，订单当中大部分来自AMD，英伟达也有相关产能安排。工厂将采用2纳米制程工艺，占地面积约270万平方英尺，体量约为泰勒首座晶圆厂的1.5倍。按照当前规划节奏，产线预计2029年2月启动设备进场安装，2030年正式投入量产。
HBM的结构分为存储裸片与基底逻辑裸片（base die），这也是本次代工的核心产品。基底裸片承担信号转接、互联控制功能，是HBM堆叠封装里不可或缺的一环，和三星传统DRAM存储晶圆分属不同业务。本次泰勒二厂归属晶圆代工线，并非存储产线，聚焦逻辑制程，专门承接这类HBM配套逻辑芯片需求。
泰勒一厂此前已经敲定与特斯拉的代工合同，主打先进逻辑芯片代工；二厂则定向瞄准AI算力产业链，围绕HBM配套裸片锁定头部算力芯片客户。随着AI算力需求持续扩张，HBM供应持续紧张，除存储晶圆之外，HBM配套基底裸片、封装产能同样成为产业链争抢的资源。AMD、英伟达作为HBM核心采购方，提前锁定上游代工产能，也是行业长协锁产能趋势下的典型动作。