据路透社报道，存储芯片巨头SK海力士正与英特尔洽谈一项协议，探讨首次在美国制造存储芯片的交易。
报道援引三位知情人士消息称，SK海力士与英特尔主要围绕两套潜在合作方案进行洽谈：
方案一（厂房租赁）：SK海力士可能租赁英特尔位于俄亥俄州（Ohio）长期规划的半导体制造新晶圆厂的部分工厂。
方案二（成立合资企业）：探讨由SK海力士、英特尔以及全球主要云服务提供商（CSP）联合成立合资企业的可能性。
至于SK海力士将在美国具体生产哪一类芯片，报道称，目前尚未获悉。
对于上述消息，SK海力士随后在其官网发表声明称，公司确实在不断探索各种方案以持续提升全球竞争力，但目前并未确定任何具体的计划或安排，也未就报道中提及的上述两种合作方案做出任何决定。
SK海力士进一步强调，关于与特定企业合作或在美国进行存储芯片制造的事宜，目前均未最终敲定。
作为全球存储产业链的核心厂商，SK海力士的产品线全面覆盖用于服务器、PC及智能手机的DRAM芯片、用于长期数据存储的NAND闪存，以及专门服务于高算力AI处理器的高带宽内存（HBM）。尤其是在AI大模型掀起的算力浪潮中，SK海力士保持着全球HBM市场的领先地位。
据TrendForce集邦咨询最新产业研究，2026年第二季度，SK海力士由于HBM占公司整体出货位元比重为三大原厂中最高，ASP增幅受限，其DRAM业务营收季增37.9%，上升至385.9亿美元。
NAND方面，SK海力士集团（含SK海力士和Solidigm）得益于321L制程持续放量，以及Solidigm大容量QLC Enterprise SSD订单畅旺，平均销售单价（ASP）攀升，带动其NAND Flash营收季增89.5%，突破142.7亿美元，营业利润率也再创新高。
