根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，主要系统OEM客户因淡季需求疲弱而持续砍单，迫使NAND Flash供货商必须采取更为积极的价格策略来减轻库存压力，因此2月份NAND Flash颗粒合约价较1月份下滑将近14%。展望3月份与4月份市况，虽然NAND Flash厂商已经开始停止扩产因应，然而上半年市场并无需求刺激的情况下，短期内NAND Flash市场将持续呈现供过于求，颗粒价格走势也将较为疲软。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，行动式内存总营收在去年第四季达到30.39亿美元，2013整年度总产值达到118.26亿美元，占DRAM总产值的34.3%，预计在2014年产值仍将持续小幅攀升。虽然无锡厂火灾主要影响的是标准型内存，行动式内存产出并未受到重大冲击，但市场竞争激烈下平均销售单价在4Q13仍持续小幅下滑约10%，出货量虽较上季成长约3%，但整体行动式内存营收仍小幅衰退7.8%。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，在NAND Flash业者原先对于第四季终端装置出货过于乐观，导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求，以及SK 海力士火灾影响NAND产能调配等因素下，第四季NAND Flash品牌供货商营收较第三季下滑4.5%，来到61亿6千8百万美元， 2013年全年整体市况与供需产销较2012年改善不少，因此营收较2012年第四季同期增加16%。随着先进制程的良率改善与快速导入嵌入式产品，整体产业依旧维持稳健向上的格局。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金，QoQ近5%。同时，前两大DRAM供货商的获利能力较上季皆有提升，其中获利差异点取决于各DRAM厂标准型内存的供给多寡。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，受到通路库存压力以及3月份将发表智能型手机新机种两大因素影响下，1月份行动式内存合约价格下跌幅度扩大，落在5~10%之间。其中一线厂商单芯片封装(Discrete)内存产品合约价格下跌幅度为5~10%，LPDDR1则因智能型手机市场主流应用已经转移至LPDDR2以及LPDDR3，导致需求大幅减少，合约价格跌幅更进一步扩大。
