随着中国市场近几年的蓬勃发展与政策开放，GDP成长率呈现高度的成长，所伴随而来的就是惊人的消费潜力，无论是PC、智能型手机与平板市场都把中国市场列入第一战区。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新研究显示，以2Gb颗粒来换算，2014年中国市场在DRAM与NAND的消化量已经高达47.89亿颗与35.18亿颗，分别占全球产能19.2%与20.6%。
TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新研究报告显示，第三季三大DRAM厂积极 调配旗下产能以应付苹果iphone新机庞大行动式内存的需求，在排挤效应下，标准型内存 产出减少，带动第三季合约价格持续上涨，供货吃紧下标准型内存蝉联毛利最高的DRAM产品。DRAMeXchange表示，2014年第三季DRAM产值达120亿美元，较上季成长11%，单季营收再度创下新高。
第三季NAND Flash市况在苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下，eMMC/eMCP与SSD的成长力道均高于上半年，NAND Flash价格表现也相对稳健，使得第三季NAND Flash品牌供货商营收较上季增加12.2%至85.8亿美元。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流，有助于各家业者成本结构的改善，而随着苹果第四季iPhone表现持续亮眼以及新产品的问世，整体NAND Flash市况将呈现稳健走势。
TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，十月上旬DRAM合约价格大抵已议定完成，4GB合约均价来到32.75美元，上涨2.34%；而合约低价更到32.5美元，涨幅达4.84%。值得注意的是，虽然高价区33美元没有变化，但其实整体十月成交价格是从第三季合约低价的31美元往33美元移动，实际涨幅所带来的营收利益将在第四季逐渐发酵。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，即便PC市场走入第四季传统淡季，但在行动式内存与服务器用内存需求持续不弱下，产能转移使原本预估下滑的合约价格逆转，使十月呈现上涨格局。
三星半导体于今天(10/6)宣布位于南韩京畿道平泽的新厂扩建计划，预计于2015年初拓土动工，最快可能在2017上半年正式投产，目标将着重于应用处理器与内存的生产。TrendForce旗下记忆储存事业处DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，有鉴于三星智能型手机采用自家处理器的比例未有明显增长，若该新厂落成，着重于DRAM或NAND Flash产品的可能性较为合理。
