2014年是DRAM产业获利颇为丰收的一年。受惠于全球智能型手机持续热销，一线DRAM大厂纷纷转进行动式内存，TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange预估2014年行动式内存将占整体DRAM产出的36%，2015年更有机会突破40%大关。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示， NAND Flash成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如SSD与eMMC等需求则持续成长，2015年NAND Flash产值将较2014年成长12%，达276亿美元。
TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，全球行动式内存总营收在第三季达34.6亿美元，季成长6%，占DRAM总产值29%。三星半导体不出意外仍稳居第三季行动式内存龙头地位，而且市占首度突破50%，俨然成为一方霸主，让位居二、三名的SK海力士与美光的市占率再度拉大。虽全球DRAM产能依旧处于微幅吃紧状态，导致第三季行动式内存价格小幅度下滑，但因位产出增加，全球行动式内存总产值仍向上提升。
TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，长达半年的DRAM合约价涨幅正式宣告终止，DDR3 4GB模块11月上旬合约价下跌3.1%，均价来到31.75美元，合约高价更从33.5美元下滑至32美元，跌幅高达4.5%。
随着中国市场近几年的蓬勃发展与政策开放，GDP成长率呈现高度的成长，所伴随而来的就是惊人的消费潜力，无论是PC、智能型手机与平板市场都把中国市场列入第一战区。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新研究显示，以2Gb颗粒来换算，2014年中国市场在DRAM与NAND的消化量已经高达47.89亿颗与35.18亿颗，分别占全球产能19.2%与20.6%。
