产业洞察

集邦咨询:第二季服务器内存合约价续涨,16GB模组均价将迈向130美元大关


20 February 2017 半导体 TrendForce

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示,由于供给吃紧态势尚未改变,2017年服务器内存第一季合约价上扬近四成,预估第二季将更进一步上涨约一成水位,其中DDR4 16GB服务器模组将迈向130美元大关。

DRAMeXchange表示,自2016年第四季起,服务器内存便在标准型内存的供货吃紧下连带涨价,且受惠于2016下半年大型标案,整体备货力道超出预期。展望2017年,由于DRAM原厂对内存资本支出趋于保守,产能扩增受限,整体市场供给仍将吃紧,预估2017上半年服务器内存价格仍会延续涨价走势。

整体服务器内存制程迈进20纳米以下,高容量模组加速渗透

从内存产出制程来分析,三星今年的重点将会是提高18纳米制程的投片,同时SK海力士与美光阵营也会提高其20/21纳米高容量晶圆颗粒与良率,进而提升整体高容量服务器模组的渗透率。

此外,目前如华为、浪潮等中国服务器厂商皆已通过原厂先进制程的验证,预计在今年第二季大量转进至20纳米以下之制程,并规划于今年第四季前达到近六成的20纳米产品规划,可以预期高容量模组如16GB与32GB的服务器应用将更多。

DRAMeXchange指出,2017年20纳米将成为服务器内存主要供应制程,8Gb mono die成为市场主流颗粒,使得16GB与32GB容量的服务器模组取得更加容易,再加上下半年英特尔与超威新服务器平台的导入,将迫使如广达等一线代工厂提升服务器内存模组的配置,以改善整体效能。然而,单机搭载容量的提升依旧是今年服务器内存最主要的成长动能。


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