阿斯麦CEO：首批High-NA光刻机生产的芯片将在数月内面世

据路透社消息，全球顶尖芯片设备制造商阿斯麦（ASML）首席执行官克里斯托夫·富凯于当地时间周二在比利时微电子研究中心（imec）举办的行业会议上公开表示，公司预计未来数月内，将迎来首批采用新款高数值孔径（High-NA）EUV光刻机生产的芯片产品，覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。

富凯在会议中明确指出，High-NA EUV光刻机作为面向2nm以下（1.8nm/1.4nm及更先进节点）制程的核心图形化设备，核心价值在于降低顶尖芯片电路光刻成型成本，同时适配AI芯片、HBM/DRAM等高端存储芯片的制造需求，助力先进芯片量产效率提升。他强调，尽管设备初期投入高昂，但设计初衷正是随着技术成熟与规模化应用，逐步摊薄单颗芯片的光刻成本。

此次表态备受产业链关注，核心原因在于High-NA设备的商业化进程直接关乎全球先进制程芯片的发展节奏。而就在数周前，阿斯麦核心客户台积电曾公开提及，单台High-NA EUV光刻机造价高达4亿美元（约合人民币27.25亿元），成本过高暂不具备大规模采用条件。对此，富凯在会议中回应称，新技术落地需经历权威认证与产能爬坡阶段，阿斯麦对其长期商用前景保持坚定信心。

作为全球唯一能量产EUV光刻机的企业，阿斯麦的High-NA技术被视为突破先进制程物理极限的关键。相较于传统EUV光刻机，High-NA通过提升光学系统分辨率，可实现更精细的电路图案刻印，是未来AI算力芯片、高端存储芯片迭代的核心支撑。