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重庆万国半导体研发大楼正式奠基


2026/05/20 功率半导体 admin

5月15日,重庆万国半导体科技有限公司12英寸功率半导体生产基地研发大楼开工奠基仪式在重庆两江新区水土高新园举行。

此次奠基的研发大楼位于重庆万国厂区核心区域,总建筑面积约14000平方米,共5层,建成后将集芯片研发实验室、工艺测试中心、产品验证平台及技术交流中心于一体,可容纳500余名研发人员同步开展科研工作。项目将重点聚焦12英寸功率半导体器件、车规级芯片及先进电源管理技术等方向,覆盖MOSFET、IGBT、电源管理IC等高端功率器件的技术攻关与产品迭代,同步配套性能测试、可靠性验证与工艺优化等关键环节。

作为重庆万国引入上海新微科技集团作为实控人后的重要举措,该研发大楼是新微集团“SIMIC for AI”战略落地的关键节点。项目建成后,将与公司现有芯片制造、封装测试产线形成“研发-制造-封测”一体化闭环,重点服务新能源汽车、工业自动化、人工智能及消费电子等领域,进一步完善重庆功率半导体产业链创新生态,助力区域突破高端功率芯片技术瓶颈,加速国产替代进程。


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