三星预计平均售价上涨146%，SK海力士DRAM价格上涨60%以上

2026年第一季度，全球存储市场迎来超级周期，三星电子与SK海力士凭借内存价格飙升实现业绩暴涨，同时高企的内存成本开始反噬终端制造业务，AI驱动的HBM研发竞赛也进入白热化阶段。

5月15日两家韩厂同步发布财报，数据显示存储价格涨幅惊人。三星电子财报披露，2026年Q1 DRAM与NAND混合平均售价较2025年全年均值暴涨146%，虽未拆分两类产品涨幅，但强调HBM4、DDR5等高带宽内存与大容量SSD用NAND需求强劲。

SK海力士涨价幅度同样夸张：DRAM均价环比涨60%+，出货量环比持平；NAND均价环比涨70%+，出货量环比降10%，量减价增印证供需极度紧张。业绩方面，SK海力士Q1营收52.58万亿韩元（同比+198%），营业利润率高达72%，超过英伟达同期水平；三星DS部门营业利润53.7万亿韩元，贡献集团94%利润。

内存暴涨对三星而言是“左手赚右手亏”。财报显示，DX部门（终端制造）移动内存成本同比激增107%，直接推高手机、平板等产品物料成本。

为应对成本压力，三星DX部门首次将移动内存列入原材料采购清单，Q1移动内存占采购总额9.4%，首次超过摄像头模块（8.9%），仅次于移动AP（19.9%）与显示屏（10.2%）。更关键的是，美光成为三星手机内存关键供应商，打破长期以来自研自用格局，反映内部供货已无法满足需求或成本过高。

AI存储竞争加剧推动两家企业研发费用大幅增长。三星Q1研发投入11.34万亿韩元（同比+25.5%），资本开支11.23万亿韩元，其中90.7%投向DS部门；全年计划砸110万亿韩元用于资本开支与研发，重点布局AI半导体与机器人等新业务。技术进展上，

SK海力士研发投入增幅更猛，Q1达2.55万亿韩元（同比+68.3%），占营收4.9%。产品路线图显示，SK海力士HBM4E预计2026年下半年送样、2027年量产，基底芯片按客户需求定制，核心芯片采用1c DRAM工艺。

当前存储涨价属于AI驱动的结构性短缺，单台AI服务器内存配置是普通服务器的8-10倍，全球超2/3 DRAM产能被AI与服务器市场消化。供需失衡下，存储高景气周期将长期延续，HBM、DDR5与企业级SSD成为核心增长引擎。

对产业链而言，上游存储厂商赚得盆满钵满，下游终端制造商（如三星DX）被迫承担高成本并调整供应链策略；同时，HBM技术竞赛加速，先进制程与封装能力成为制胜关键，全球半导体产业重心进一步向AI存储与算力基础设施倾斜。