据韩媒《首尔经济日报》7月20日消息，三星电子正在扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作。双方此前已经在DRAM、高带宽内存（HBM）、晶圆代工层面开展合作，本次合作延伸至NAND产品，持续拓宽存储芯片供应合作边界。
报道信息显示，三星第十代V-NAND（V10）已经启动量产，并向英伟达供货。公司同步扩充第九代V-NAND（V9）产能，同时推进第十一代500层级V-NAND（V11）技术研发。产能层面，三星当前V-NAND月产能超过10万片晶圆，其中大约60%产能投向V9产品。
本次合作主要面向英伟达AI服务器配套存储需求，支撑其上下文内存存储（CMX）相关硬件。CMX用于承载AI推理产生的大量KV缓存数据，市场机构预期相关设备将带动企业级NAND闪存需求持续增长。
公开资料显示，V-NAND是三星垂直堆叠闪存产品，持续通过提升存储单元堆叠层数提高容量密度。V9、V10面向当前数据中心SSD市场，在功耗、读写性能方面适配AI算力集群长时间高负载运行场景；下一代V11目标冲击500层堆叠，着眼中长期算力基础设施存储升级需求。
