近日，据TechPowerUp等多家科技媒体报道，美光正在探索一项名为“近GPU NAND”（near-GPU NAND）的新型高耐久性NAND闪存模块技术。该技术旨在打破传统存储架构的层级壁垒，将NAND闪存从远端存储池迁移至紧邻GPU的位置。
这项技术的核心思路是让GPU能够直接访问一个容量达数百GB级别的NAND存储池，而存储模块本身可以部署在GPU封装内部或PCB板上，工作方式与HBM、GDDR7等现有高带宽存储方案类似。与传统TLC或QLC NAND闪存产品相比，这种新型NAND芯片适当降低了存储密度，将研发重心放在了提升I/O速度、传输带宽和读取速度上。
在存储层级中，这项技术定位于显存与普通存储之间，作为一个全新的高速缓冲层。它主要用于处理那些对延迟和带宽要求不如传统HBM或DRAM模块严苛，但又需要比普通存储更快响应的工作负载。若该技术成功落地，有望破解大语言模型推理过程中长期受限于显存容量的现实瓶颈。
需要指出的是，美光方面尚未公布该技术的具体产品时间表及详细技术参数。目前，“近GPU NAND”仍处于研究探索阶段，其最终能否商业化落地以及市场反响如何，仍有待进一步观察。
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