台积电出售世界先进8.1%股权，披露2029年前技术蓝图

5月15日，台积电宣布计划出售其持有的子公司世界先进不超过1.52亿股普通股，约占后者已发行股本的8.1%。此次股权出售拟通过大宗交易方式进行，预计交易对象为财务投资机构，而非直接在集中市场大量抛售。台积电强调，该计划不会影响双方既有的策略合作关系，其中包括委托世界先进生产硅中介层，以及向其进行氮化镓（GaN）制程技术授权等合作内容。

自2024年6月起，台积电已不再于世界先进董事会中占有董事席位。在股权充分稀释基础上，台积电目前持有世界先进约27.1%的股权。本次出售完成后，其所持股权预计将降至约19%。台积电表示，在可预见的未来，暂无进一步减持世界先进股权的计划。此次交易若完成，预计将为台积电回笼约268亿新台币（约合8.5亿美元）资金，用于支持其核心业务发展。台积电称，此次出售是基于资源配置考量，旨在将资源更聚焦于先进制程研发、先进封装及海外产能建设等核心业务。

稍早之前，台积电公布的技术蓝图也印证了这一战略方向。蓝图显示，该公司未来将聚焦先进制程、封装技术等领域，以应对人工智能和高性能计算带来的海量需求。

先进制程领域，台积电N2制程已于2025年第四季开始量产，N2P则计划如期于2026年下半年开始量产。而搭载超级电轨（Super Power Rail）技术的A16预计于2027年生产。为提供客户更多元的选择，进一步优化的N2X与N2U将分别于2027年与2028年量产;其中N2U相较于N2P，速度加快3%至4%、功耗降低8%至10%，并提升约3%的逻辑密度。

埃米级制程方面，A14预计于2028年如期进入量产。作为第二代纳米片晶体管，A14采用了NanoFlex Pro技术，相较于N2，在相同功耗下速度最高提升达15%;在相同速度下，最多可降低30%功耗，其逻辑密度与芯片密度更分别提升至N2的1.23倍与1.2倍。A13则预计于2029年进入生产，其设计规则可与A14完整向后兼容，让客户能将现有A14设计快速转移，且面积比A14进一步节省了6%。此外，搭载超级电轨的A12则计划于2029年量产。

先进封装方面，CoWoS已宣布生产5.5倍光罩尺寸版本，良率超98%；路线图规划2027年9.5倍、2028年14倍（约整合10颗运算晶粒和20组HBM堆叠），2029年推出40倍以上光罩尺寸的SoW-X方案（可整合64颗HBM与16个CoWoS模块）。SoIC三维堆叠技术已量产，互联密度较初代CoWoS提升56倍，能效提升5倍；2029年A14对A14的SoIC晶粒间I/O密度将达到N2对N2版本的1.8倍。硅光子CPO技术（TSMC-COUPE）预计2026年内量产，相较于可插拔方案，功耗效率提升约2倍，延迟降低90%，已获英伟达导入新一代Vera Rubin平台。

特殊应用方面，车用N2A制程（首款GAA车用节点）相较N3A同功耗下速度提升15%–20%，预计2028年完成车规认证。显示驱动芯片推出N16HV（首款高压FinFET），较N28HV栅极密度提升41%、功耗降低35%、面积缩小约四成。射频平台从16nm向7nm、5nm演进，支持6G与Wi-Fi 8。