第二季开始由于DRAM没有新增产能与2Xnm制程转进不易，加上服务器、智能型手机等中短需求迈入旺季，DRAM价格一路攀升，其中现货主流颗粒DDR3 1600MHz 4Gb价格最高曾在7月18日飙上US$4.6。根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange报价显示，近期现货价格明显呈现涨多格局，以七月下旬合约价格为例，DDR3 4Gb均价为US$3.69，而7月31日的现货均价为US$4.35，两者出现18%的价差。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，2014年第二季全球行动式内存总营收季成长29%达33亿美元，占DRAM总产值的31%。在全球DRAM产能吃紧情况下，第二季行动式内存价格止跌回稳，而中国手机品牌厂的崛起与4G市场的热络更让行动式内存出货畅旺，整体产值较上季成长12%。三星半导体依然稳居市占龙头，而SK海力士再度夺回第二名的位置，营收成长来到34.8%，为全球DRAM厂之冠，与美光的市占率差距也大幅拉大，显示SK海力士在标准型内存与行动式内存间取得产出平衡点策略出现成效。
NAND Flash市况明显好转，不但价格跌幅收敛，OEM终端需求也从五月底开始增温，第二季NAND Flash品牌供货商营收达76.49亿美元，季成长5.6%。全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，随着智能型手机与平板计算机等应用端进入第三季的出货旺季，相关产品备货需求可望提升NAND Flash业者下半年的营运表现。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，2014年第二季全球DRAM产值达108亿美元，较上季成长9%。在产品比重调配得宜下，三大DRAM厂获利能力皆进一步上升，其中仍以三星表现最佳，营业获利(operating margin)达39%，SK海力士以38%紧追在后，而美光集团中则以华亚科营业获利达54.6%最为亮眼。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，第三季合约价格多数于七月下旬议定完成，4GB均价来到32美元，月成长4.92%，其中高价更来到33美元，涨幅达6.45%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，时序进入传统旺季，苹果新款手机出货在即，原先略显吃紧DRAM产能还需要保留行动式内存的生产，导致第三季价格仍维持上涨格局。