据韩国ZDNET Korea援引知情人士消息，三星电子计划将超过一半的4nm产能投入HBM4基础裸片生产。知情人士透露，三星4nm工艺现已全面投产，HBM4基础裸片占据该工艺总产能的50%‑60%，这一产能分配比例将在2026年下半年维持不变。
HBM4架构中，基础裸片承担内存控制、信号交互等功能，新一代产品需要集成PHY、内存控制器等逻辑电路，因此三星放弃传统DRAM工艺，改用4nm逻辑代工工艺制造该裸片。三星平泽P2、P3工厂的S5、S6产线承担4nm（SF4）工艺生产，该举措也是为应对英伟达、博通、AMD等AI大厂持续走高的HBM4采购需求。
将大量先进逻辑产能向存储配套裸片倾斜，也体现三星差异化竞争思路。不同于SK海力士选择外部代工厂制作HBM基础裸片，三星实现DRAM存储裸片、逻辑基础裸片、先进封装的内部闭环，以此缩短交付周期、把控产品定制化能力。
产能向HBM4倾斜的同时，也会挤压外部ASIC客户的4nm代工供给。行业消息显示，三星还在评估将2nm工艺导入下一代HBM基础裸片，进一步拔高HBM产品性能上限。
上述信息来自供应链知情人士，三星电子尚未发布官方公告予以确认。
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