据ZDNet援引行业消息，三星电子正在重新评估器兴（Giheung）园区在建的NRD-K Line 2产线定位，计划把原本规划的研发产线调整为晶圆代工产线，专门用于生产下一代HBM所需2nm逻辑基础裸片(Base Die)，提前承接英伟达等核心客户未来爆发的HBM需求。
NRD-K Line 2原定功能为先进工艺研发，按照最新规划，这条产线投产之后主力供应定制化HBM与HBM5产品的基础裸片。三星已经确定HBM5基底裸片采用基于GAA架构的2nm工艺，新一代产品传输速率相比HBM4E需要提升50%以上，传统基底裸片已经难以满足带宽、功耗指标要求。首尔经济日报此前报道，三星已于今年6月首次对外公开HBM5相关方案。
这条产线目标投产时间为2028年下半年。消息人士表示，由于厂房整体规模偏小，未来大概率以Send-Fab（辅助晶圆厂）模式运营：不独立完成全流程晶圆制造，接收来自其他主力量产产线的晶圆，只负责部分关键工序，作为三星尖端制程产能补充，而不是一条独立完整的量产线。
目前项目距离投产尚有两年建设周期，整体方案还没有最终敲定。虽然内部规划已经基本成型，但设备采购订单还没有正式下达，后续投资规模、产线用途依然会跟随半导体市场需求变化做出调整，仍存在变数。
NRD-K是三星总投资约20万亿韩元打造的综合先进研发基地，共规划3条产线，1号线已于2024年底完工。2号线今年正式启动前期整地施工，现阶段地基建设正在推进当中。
从整体布局来看，把研发产线转为HBM基底裸片专用代工线，可以看作三星存储+代工协同战略的关键一步。HBM5以及英伟达下一代GPU Feynman配套的定制HBM产品，都需要高性能逻辑基底裸片，如果三星可以自主供应2nm Base Die，能够进一步拉开和竞争对手的差距，掌控HBM核心零部件产能。
