近期，宁波比亚迪半导体有限公司对外公示了新型功率半导体芯片产业化及升级项目竣工环境保护验收相关文件。
“新型功率半导体芯片产业化及升级项目”已于2025年11月通过竣工环保验收。技改后宁波基地形成24万片/年SiC等新型功率半导体（含TVS、SBD、PD、CMOS等）产能，同时保留7.8万片IGBT+7.8万片FRD作为混合产能，总投资7.44亿元。
宁波海关披露，公司2月启动1200V沟槽栅SiC MOSFET晶圆保税研发；项目负责人称“研发片一旦通过检测即可迅速转量产”，配套产线升级完成后目标月产1万片（折合年12万片）。这意味着宁波厂未来SiC产能仍有翻倍空间。
验收报告列出已导入的干法刻蚀机、栅氧氧化炉、高温退火炉等关键设备，主材为6英寸SiC晶圆，目前“主体设施和环保设施运行稳定”，标志着6英寸SiC芯片进入常态化生产。
综上，宁波比亚迪半导体2025年已完成从“IGBT+FRD”向“SiC为主、硅基补充”的产品结构切换，24万片/年SiC产能率先释放，1200V沟槽栅MOSFET有望于2026年进一步放量，为比亚迪全系新能源车型提供主驱逆变器核心芯片。
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