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华润微电子第四代碳化硅MOS主驱模块批量上车


2025/11/06 碳化硅 admin

近期,华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要进展,PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。

PDBG是华润微电子旗下全面负责功率器件设计、研发、制造与销售服务的业务单元。其下设有中低压MOS产品线,高压MOS产品线,IGBT产品线,特种器件产品线,模块产品线和汽车电子事业部。拥有CRMICRO、华晶两个功率器件自主品牌。

华润微电子介绍,该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片,采用ValueDual封装,6/8管并联设计,最低导通电阻1.6mΩ,兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势,在商用车主驱系统应用中表现优异。

已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时,通过设计和工艺创新,进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数,显著提升功率密度和运行效率,为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。

PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化,开发650V和1200V两个电压平台,推出十余个标准规格产品,同时搭配公司成熟的插件、贴片封装,包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装,产品综合性能表现优异,已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户,并实现批量供货,为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。


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