宾夕法尼亚州利哈伊谷，2025 年 10 月 16 日 ——iDEAL Semiconductor 宣布推出其 SuperQ™ 150V MOSFET 系列，该系列现已量产，并提供多种业界标准封装的样品。
这款新器件延续了 iDEAL SuperQ 架构的性能领先优势，实现了导通电阻（RDS (on)）的创纪录低值，同时保留了硅材料在成本、可制造性和可靠性方面的优势。
SuperQ 150V 系列包含多款性能优化器件，其中包括：
型号 iS15M7R1S1C，导通电阻最大值为 6.4 毫欧，采用紧凑型 PDFN 5×6 毫米封装。
型号 iS15M2R5S1T 系列，导通电阻最大值为 2.5 毫欧，提供 TOLL、D2PAK-7L 和 TOLT 封装。
iS15M2R5S1T 拥有业界顶尖的低电阻特性，比次优竞争对手低 36%。
其他版本也已开放样品申请，包括：
导通电阻 5.5 毫欧的 MOSFET，采用 PDFN 5×6 毫米封装。
导通电阻 8.8 毫欧的 MOSFET，提供 TO-220 和 PDFN 5×6 毫米两种版本。
该系列的目标应用包括电机驱动、电池保护电路、人工智能服务器和开关模式电源。这些市场均对超低传导损耗、高可靠性和可扩展的硅制造工艺有明确需求。
iDEAL Semiconductor 首席执行官兼联合创始人马克・格拉纳汉（Mark Granahan）表示：“我们的 150V SuperQ MOSFET 重新定义了硅材料的性能极限，实现了此前被认为无法达成的技术突破。” 他补充道：“我们依托硅材料久经考验的可靠性、可制造性和成本优势，打造出高性能产品。这些器件为工业、汽车和数据中心应用开辟了全新的设计可能。”
所有 SuperQ 150V 器件均采用即插即用的业界标准封装，包括 TOLL、TOLT、D2PAK-7L、TO-220 和 PDFN 5×6 毫米。
该新系列将加入 iDEAL 已量产的 200V SuperQ 产品线，同时公司正在开发 250V 至 650V 平台，以将硅材料的应用范围拓展至更高电压领域。
关于 iDEAL Semiconductor
iDEAL Semiconductor Devices, Inc. 是业界领先的下一代硅功率器件开发商。公司的使命是推动硅材料突破其公认的性能极限。其专利 SuperQ 技术基于传统 CMOS 工艺，实现了突破性的能效提升，同时未放弃硅材料经过验证的核心优势。该平台技术适用于广泛的产品、应用场景和半导体材料，专为降低各类应用中的功率损耗而设计，将为下一代产品带来更绿色的能源使用方式。iDEAL 总部位于宾夕法尼亚州利哈伊谷，如需了解更多信息，请访问 www.idealsemi.com。
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