近日，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司（以下简称“拓荆创益半导体”）注册资本、法定代表人等工商信息发生多项变更。其中，注册资本由5亿元增至33.6亿元，增幅高达572%；法定代表人方面，刘静卸任法定代表人，由宁建平接任。
资料显示，拓荆创益半导体成立于2023年，由国内半导体设备领域头部厂商拓荆科技100%持股，经营范围涵盖电子专用设备制造；电子专用设备销售；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售等。
据悉，拓荆创益半导体联合拓荆科技在沈阳市浑南区投资建设的高端半导体设备产业化基地项目于近日迎来关键节点：8月10日完成主体结构封顶。
据辽宁日报报道，该项目总投资近18亿元，占地面积147亩，总建筑面积15.6万平方米。规划建设高标准洁净生产车间、智能化立体库房、先进研发中心、测试实验室及综合配套设施，同步搭载先进生产管理系统，建成后将成为拓荆科技全球核心研发制造中心，预计2028年正式投用。
项目建成后，沈阳作为拓荆科技总部基地，最大产能规模将达到每年1000余台，有力支撑PECVD、SACVD、HDPCVD等系列高端薄膜沉积设备的产业化和公司业务规模的持续扩大、新产品的研发创新与技术迭代，进一步巩固拓荆科技在高端半导体设备领域的竞争优势，为提升市场份额和行业地位奠定坚实基础。
