7月2日晚间,东微半导发布公告,公司筹划向不特定对象发行可转换公司债券,本次募资总额上限14.36亿元,资金扣除发行费用后全部投向功率芯片研发、产业化、研发基建及补充流动资金,聚焦SiC、功率管理芯片等高景气赛道布局。
根据可转债预案披露,募集资金将分四大方向落地:新型功率器件技术和产品研发及产业化项目、新一代功率管理控制芯片研发及产业化项目、研发中心建设项目,剩余资金用于补充公司流动资金。董事会已于7月1日审议通过本次发行相关议案,整套方案尚需股东大会表决、上交所审核并取得证监会注册批复后方可实施,发行落地存在审批周期不确定性。
其中新型功率器件产业化项目总投资5.48亿元,拟全额使用募集资金投入,建设周期36个月,实施地点位于苏州。项目核心研发方向覆盖宽禁带碳化硅器件,拓展3300V至10kV全耐压SiC产品平台,开发SiC JFET、高压SiC超结MOSFET等差异化器件,产品面向AI数据中心电源、新能源汽车、固态变压器场景,补齐国内高端高压SiC芯片供给短板。
新一代功率管理控制芯片项目将同步升级配套驱动、电源控制IC研发能力,与自研功率器件形成芯片组合方案,适配光伏储能、车载电控、算力服务器电源整机配套需求;研发中心建设项目将新增先进测试、仿真、可靠性验证设备,扩充器件与控制芯片同步研发平台,完善高端功率半导体研发硬件配套。补充流动资金将缓解研发投入、市场拓展带来的现金流压力,优化公司资产负债结构。
公开经营资料显示,东微半导主营高性能功率半导体器件,产品线覆盖硅基MOSFET、高压碳化硅功率芯片、配套电源管理IC,下游覆盖新能源车、工业工控、AI算力硬件、新能源储能。当前全球高压SiC、高端功率管理芯片需求持续扩容,海外厂商供给紧张,国产替代空间充足,本次大额融资为公司上市后又一轮大规模产业研发投入。
行业层面,新能源车800V高压平台、数据中心高效供电、新型固态变压器持续拉动高压功率器件订单,国内功率半导体设计企业集中加码SiC器件与配套控制芯片研发。本次募投全部聚焦科技创新类半导体项目,契合国内宽禁带半导体自主化产业政策导向。
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