4月9日，英特尔晶圆代工服务宣布取得重大技术突破，开发出全球最薄的氮化镓（GaN）芯片。硅衬底厚度已缩减至仅19微米——约为人类头发直径的五分之一。
该芯片采用英特尔专有的隐形切割和减薄工艺，在 300 毫米（12 英寸）氮化镓硅基晶圆上制造而成。这种方法能够在保持结构完整性和性能稳定性的同时，实现超薄外形。
更值得一提的是，该团队首次实现了氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成。通过将复杂的计算功能直接嵌入到功率芯片中，该设计无需额外的辅助芯片，显著简化了系统架构并降低了组件间的能量损耗。
性能测试表明，GaN晶体管可承受高达78V的电压，并实现超过300GHz的射频截止频率，满足高频通信应用的需求。集成的数字逻辑库运行可靠，反相器开关速度快至33皮秒，且在整个晶圆上性能一致，表明其具有强大的量产潜力。该技术还通过了四项行业标准可靠性测试，证明了其在高温高压条件下运行的能力，并满足商业部署要求。
随着传统硅基技术在高功率和高频应用场景中逐渐接近其物理极限，被公认为宽带隙半导体的氮化镓 (GaN) 提供了更高的功率密度、更快的开关速度和更低的能耗等优势。
英特尔的解决方案利用 300 毫米硅基氮化镓晶圆加工技术，与现有的半导体制造基础设施兼容，这可以显著降低生产成本并加速大规模应用。
