据美国商业资讯，当地时间2026年8月5日，高压电源芯片厂商Power‑Integrations（PI）对外公布，旗下独家PowiGaN氮化镓技术额定耐压提升至2200V，参数已...

7月31日，韩媒TheElec援引多位行业知情人士消息披露，一条布局于龙仁市器兴园区的8英寸氮化镓专用晶圆代工生产线，在客户芯片试生产验证环节出现可靠...

7月7日，《日经新闻》披露三菱化学与日本制钢所（JSW）氮化镓衬底产能扩张与产品迭代规划。 两家企业长期联合研发功率半导体自支撑氮化镓衬底，三...

2026年5月22日，西湖烟山科技（杭州）有限公司宣布，其全球首条8英寸硅基氮化镓MicroLED IDM量产线，于浙江德清工厂正式通线投产。 该产线为全链路...

4月9日，英特尔晶圆代工服务宣布取得重大技术突破，开发出全球最薄的氮化镓（GaN）芯片。硅衬底厚度已缩减至仅19微米——约为人类头发直径的五分之一。...

据韩媒THE ELEC于2026年3月19日报道，三星的8英寸氮化镓（GaN）生产线已准备就绪。 三星半导体在2023年曾宣布其功率半导体晶圆厂将于2025年投产，...

近日，全球增强型氮化镓（eGaN）功率器件企业宜普电源转换公司（EPC）宣布，已与瑞萨电子（Renesas）签署一项全面的技术许可及第二来源（Second Sourc...

近日，上交所官网显示，广东中图半导体科技股份有限公司（下称：“中图科技”）科创板IPO获受理。这是该公司时隔三年后第二次冲击科创板，其首次申报于2...

12月29日，宏微科技公告称，公司与一家国内传动领域的控制设备与系统集成头部公司签署了《战略合作协议》，双方将聚焦电控系统、液压控制系统、伺服系...