近日，北方华创正式发布全新一代12英寸高端电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备——NMC612H。
该设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，针对超高深宽比、超高均匀性、精确形貌控制等挑战，攻克了全新一代精准偏压控制、射频多态脉冲控制、超高速通讯网络控制等多项技术难题，搭配全国产超百区独立控温静电卡盘及具备完全自主知识产权的温控算法，将ICP小尺寸刻蚀的深宽比提升到数百比一，均匀性带入埃米级时代，标志着北方华创持续引领高端ICP刻蚀设备领域的发展方向，突破性技术优势可满足更先进节点的芯片制造要求，携手芯片制造商共同迎接AI时代的机遇与挑战。
北方华创精研更先进节点刻蚀工艺的难点、痛点，打造出全新一代高端ICP刻蚀产品612H，该产品具备以下四大优势：
1.全新一代精准偏压控制（Pulsed DC Voltage，PDV）：实现电子伏特量级、窄能量分布的离子入射能量和离子方向的精确控制，满足更小线宽、更高深宽比结构的超高精度刻蚀需求。
2.量产级超百区精细控温静电卡盘：通过具备完全自主知识产权及全国产供应链的超百区独立控温静电卡盘，实现优于0.3°C的温度均匀性控制。
3.射频多态脉冲（MLP）及快速匹配算法成套解决方案：匹配时间由秒级降低至毫秒级，具备同步脉冲、异步脉冲以及三频同启等多种RF模式，实现对单步工艺配方等离子体成分和能量的精确调控。
4.原位原子层沉积（ALD）模块：具备同腔室内任意交替使用ALD沉积和刻蚀工艺能力，突破了传统刻蚀设备的功能局限，赋予产品更多更广的应用场景。
