《科创板日报》报道，LG电子正在开发用于高带宽存储器（HBM）的混合键合堆叠设备（键合机）早期版本。该项目计划于2029年完成，目标精度设定为200纳米。不过，这一精度规格与Besi公司已实现商业化的100纳米精度存在差距。消息人士指出，基于这样的精度差异，该键合机在三年后推出时，可能在HBM领域竞争力不足。
资料显示，LG电子在该领域的布局依托产学研协同模式推进，由下属生产技术研究所主导，于2025年6月启动相关研发，深度参与韩国政府扶持的HBM混合键合设备研发课题，项目计划2029年完成，目前已进入原型机制作阶段。技术层面，LG电子凭借成熟的运动控制技术打造了高对齐精度键合头，形成核心优势。这一研发方向契合其发展AI与企业级业务的战略，除HBM键合设备外，还同步布局多款半导体相关设备以开拓新增长引擎，而韩国本土内存制造商对设备本土化的需求，也为其提供了潜在市场机遇。
