在碳化硅（SiC）核心装备领域，晶盛机电于2025年12月24日成功交付了全球首款12英寸单片式碳化硅外延生长设备给行业领军企业瀚天天成。这一设备的研发标志着晶盛机电在SiC外延技术上的重大突破，能够兼容8英寸和12英寸的SiC外延生产。
新设备采用了独特的垂直分流进气方案，显著提升了晶圆表面温度的高精度闭环控制和工艺气体的精确分区控制。此外，设备还配备了自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能，极大地提高了颗粒控制能力和维护效率。这些技术创新将为碳化硅外延晶片的生产提供更高的效率和可靠性。
瀚天天成作为全球领先的SiC外延晶片生产商，近期也发布了全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片。这一产品的推出不仅提升了下游功率器件的生产效率，还大幅降低了碳化硅芯片的单位制造成本，为产业的规模化和低成本应用奠定了基础。与目前主流的6英寸和8英寸晶片相比，12英寸晶片在相同生产流程下能够显著增加单片承载的芯片数量，分别为6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片的2.3倍。
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