小米手机射频团队在IEDM 2025上取得氮化镓技术突破

小米公司在全球半导体与电子器件领域的顶级会议IEDM 2025上取得了重要成就。小米创始人兼CEO雷军于12月14日宣布，小米手机射频团队的论文成功入选该会议，标志着氮化镓高电子迁移率晶体管技术在移动终端通信领域的历史性突破。这一成果得到了国际顶尖学术平台的高度认可。

IEDM会议自1955年创办以来，已成为半导体和电子器件技术领域最具权威和影响力的论坛之一。在本届会议上，共有298篇论文入选，其中中国贡献了101篇。小米与苏州能讯高能半导体有限公司及香港科技大学合作的论文，首次报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器，并在“GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices”分会场首个亮相。

该论文的作者包括小米的张昊宸、孙跃、钱洪途、刘嘉男、刘水等人，研究团队由小米手机射频团队主导，项目负责人为孙跃博士。论文的题目为《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》。

在当前5G向6G演进的关键阶段，手机射频前端器件面临着超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。作为射频发射链路的核心组件，功率放大器的性能直接影响终端通信系统的能效和信号覆盖能力。传统的砷化镓（GaAs）功率放大器在过去的通信系统中发挥了重要作用，但随着6G技术的逐步清晰，其在功率附加效率和高温工作稳定性等方面的物理限制日益显现，已难以满足未来通信的需求。

氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体材料，因其高临界击穿电场和优异的热导性能，被视为突破射频功放性能瓶颈的重要技术方向。然而，传统GaN器件通常需在高压下工作，无法与手机的低压供电系统兼容。为此，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出适用于手机低压应用的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并在手机平台上完成了系统级性能验证。

该研究在降低射频损耗和优化欧姆接触方面取得了显著进展，最终实现了在10V工作电压下，功率附加效率超过50%。这一成果不仅验证了低压硅基氮化镓射频技术的可行性，也展示了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。小米将继续深化与产业链的协同创新，推动该技术在移动终端领域的规模化商用进程。