日本将建尖端半导体研发中心，目标于2029财年投入使用

 12 月 15 日消息，日本经济产业大臣赤泽亮正正式宣布，该国国立研究机构 —— 产业技术综合研究所（产综研，AIST）将在北海道千岁市建设一座开放式尖端半导体研发中心，目标于 2029 财年（2029 年 4 月至 2030 年 3 月）投入使用。

据介绍，这座研发中心定位为公共技术平台，将面向千岁市半导体产业集群的上下游企业、高校及科研机构开放，提供技术共享与协同研发服务，核心聚焦 2nm 及以下先进制程半导体的工艺突破、材料研发及设备优化。关键设备引进方面，若日本国会通过 2025 财年补充预算，项目将启动下一代高数值孔径 EUV 光刻机（由荷兰 ASML 开发）的采购工作，该设备是实现先进制程芯片生产的核心硬件支撑。

资金保障层面，日本政府已明确初步投入计划：2025-26 财年初始预算中安排 318 亿日元（约合 2.04 亿美元），并拟从同期补充预算中追加 988 亿日元，相关预算仍在议会审议中。同时，三菱日联、住友三井、瑞穗三家日本大型银行已向 Rapidus 发出不具约束力的贷款意向书，贷款总额有望高达 2 万亿日元（约合 906.66 亿元人民币），这笔资金将间接支撑研发中心与 Rapidus 的协同研发及技术转化工作。

值得关注的是，该研发中心与同在千岁市的 Rapidus 晶圆厂将形成紧密协同效应。Rapidus 作为日本政府重点扶持的半导体企业，计划 2027 财年下半年启动 2nm 芯片大规模量产，目前已在当地建设试点生产线并与美国 IBM 达成技术合作，掌握 GAA 环绕栅极晶体管核心技术。产综研研发中心将提前开展先进制程设备的试制与技术攻关，待技术成熟后移交 Rapidus，助力其提升量产良率、缩短量产周期，实现 “研发成果快速落地” 的产业闭环。