2026年6月16日，韩国科学技术院（KAIST）官方发布科研成果公告，该院跨学科团队研发完成一款芯片内置超高效液冷散热技术，相关实验数据、技术方案完整收录于6月15日正式上线的国际期刊《能量转换与管理》。
根据学院官方新闻稿披露，该散热方案采用3D歧管微通道一体化结构，将微米级冷却水路直接刻蚀在硅芯片基底内部，无需外置冷板、复杂相变冷却介质，仅依靠普通室温水即可直接从芯片发热核心完成导热降温。实验测试得出冷却性能系数（COP）达到106000，对比2020年《自然》期刊发布的此前全球最高纪录，整体冷却效率提升十倍。
官方资料写明传统微通道液冷存在固有短板，冷却液需完整贯穿整片芯片通道，流体阻力大、循环泵能耗高，还容易出现芯片局部温度不均问题。本次团队通过仿真优化歧管分流架构，多路水路分布式进出，缩短冷却液流动路径，大幅降低循环泵送所需电力，同等散热需求下冷却系统能耗仅为现有顶尖方案的十分之一。
实测数据显示，该液冷结构可适配2000瓦/平方厘米的超高热流密度工况，在此极限发热条件下，芯片核心温度可稳定控制在100℃以内。整套装置无需纳米表面改性、金刚石衬底等高成本配套材料，仅依托标准硅片刻蚀工艺即可完成制备，适配量产落地工艺条件。
本次研究由机械工程系金成镇教授、人工智能与计算学院李益振教授联合牵头，多名研究员共同完成论文撰写。论文完整标题为《Highly energy-efficient manifold microchannel for cooling electronics with a coefficient of performance over 100,000》，同步公开唯一文献DOI编号。研究项目依托韩国国家研究基金会、国防技术振兴研究所专项科研经费支持。
韩国科学技术院在公告中表示，当前AI算力芯片、高性能计算器件单位面积发热量持续攀升，传统风冷、外置液冷逐步触及物理散热极限，高热通量散热瓶颈制约下一代数据中心迭代。该内置式高效水冷技术可应用于AI加速芯片、功率半导体、大型算力服务器等各类高热流电子系统，能够降低数据中心整体电力消耗，缓解算力设备热管理痛点。
