资讯中心

联发科特定新项目敲定EMIB-T封装方案,预计2027年Q4量产


2026/06/03 admin

2026年6月2日,在COMPUTEX 2026展会配套的高盛投资者交流日上,联发科对外披露项目规划信息,旗下一款下一代定制芯片项目确定封装路线,该产品将独家落地英特尔EMIB-T先进封装工艺,本项目不再选用台积电CoWoS封装方案;项目关键节点同步落地,芯片流片(tape-out)工作计划锁定2026年第四季度,规模化量产时间规划在2027年第四季度。

据悉,本次封装切换仅针对该专项下一代芯片产品,联发科整体产品矩阵仍保留台积电CoWoS合作渠道,可根据不同客户需求灵活选用两类先进封装技术路线。

业内信息显示,这款采用EMIB-T的定制芯片,市场普遍指向面向云端场景的定制化AI ASIC与数据中心处理器产品,也是联发科企业级算力芯片业务重点落地项目,相关研发进程快于此前机构预估节奏。

公开资料显示,EMIB-T是英特尔迭代升级的嵌入式硅桥先进封装产品,区别于台积电CoWoS依靠整片硅中介层互连的技术架构,该工艺采用局部嵌入式微型硅网桥完成多裸片互联,主打大尺寸封装集成、适配HBM内存高速互连需求,为英特尔对标CoWoS推出的主力竞争工艺,自2025年起持续推进工艺良率爬坡与产能扩建工作。

高盛会议纪要内容提及,伴随AI芯片集成度持续走高,联发科企业级ASIC产品线设计规格不断升级,是本次项目更换封装方案的重要背景。截至当前,英特尔EMIB-T工艺经过多轮产品验证,工艺量产良率稳步提升,逐步进入商业化落地周期,除联发科之外,谷歌下一代TPU系列产品同样规划导入该封装技术。

 


上一则
黄仁勋:英伟达产能充足保交付,PC芯片新品及迭代路线落地
下一则
三星电子HBM5细节曝光 或采用铜基HPB散热技术 预计2028年实现量产