据韩媒ZDNET Korea援引业内消息人士报道，铠侠（KIOXIA）将第十代BiCS FLASH（BiCS10）3D NAND闪存量产计划推迟至2027年，较此前曝光的2026年计划延后一年；相关投资细节预计在2026年下半年进一步明朗。此举是铠侠在高层堆叠赛道的关键布局，将直接影响全球高端存储市场竞争格局。
技术规格上，BiCS10实现全面跃升。产品采用332层存储单元堆叠架构，较现款BiCS8（218层）层数增加约52%，位密度大幅提升59%。接口方面搭载Toggle DDR 6.0标准，I/O传输速率从3.6Gbps提升至4.8Gbps，增幅达33%。同时能效显著优化，输入功耗降低10%、输出功耗降低34%，在标准TLC模式下单颗芯片容量可达2Tb，适配AI服务器、数据中心及高端终端的高密低耗需求。
架构层面，BiCS10延续并优化CBA（CMOS直接键合阵列）技术，延续自BiCS8世代的核心设计，将逻辑电路与存储阵列在不同晶圆独立制造后键合，无需复杂PLC架构即可平衡密度与可靠性，兼顾良率与成本控制。此前铠侠已在ISSCC 2025公布该技术细节，验证其在332层堆叠下的稳定性。
从战略定位看，铠侠将BiCS10量产列为2026财年（2026年4月—2027年3月）核心战略，资本支出重点倾斜第八代与第十代NAND研发及产线建设。
