据报道，SanDisk正着手建立HBF（一种采用堆叠式NAND闪存的下一代存储器）的供应链。ETNews报道称，消息人士透露，该公司已开始与材料、组件和设备合作伙伴接洽，以构建HBF原型生产线的生态系统。SanDisk计划于今年下半年推出原型产品，日本已成为该生产基地的热门候选地。业内人士预计，试点生产线将于下半年建成，并在年底前后投入运营，目标是在2027年实现商业化。
据《The Bell》援引的消息人士进一步指出，随着样品生产的全面展开，SanDisk 可能会将其之前概述的 HBF 开发时间表提前约半年，这表明该公司正大力推动在市场上占据领先地位。
与此同时，正如ETNews指出，鉴于HBM和HBF工艺的相似性，HBM生产设备以及更广泛的材料和组件生态系统预计将继续保持其技术优势。硅通孔（TSV）用于实现堆叠式NAND芯片之间的信号传输，而用于芯片贴装的键合材料和设备也可能继续由那些已经在HBM市场建立起强大竞争力的公司主导。
韩国材料供应商也在积极进军高密度闪存（HBF）领域。据Dealsite报道，韩蔚材料科技（Hanul Materials Science）旗下子公司JK Materials近日宣布，已完成高性能高密度闪存聚合物的研发，并将供应给中国主要客户。报道还指出，JKM的高性能KrF聚合物是堆叠数百层NAND闪存所需的关键化学材料。
