韩美半导体将推出第二代混合键合机原型

4月9日，韩美半导体（Hanmi Semiconductor）正式对外披露，公司计划于2026年内推出用于下一代高带宽内存（HBM）生产的“第二代混合键合机”原型机，并同步启动与客户的合作验证。此外，公司还明确规划，将于2027年上半年启动混合键合机专用工厂的运营。

作为全球HBM热压键合机市场的领先企业，韩美半导体此次布局旨在抢占下一代HBM封装设备的技术制高点。据悉，混合键合技术通过铜-铜直接键合取代传统焊料凸块，可大幅提升芯片互连密度、数据传输速度并降低功耗，是实现20层及以上高层数HBM量产的关键技术，也是AI算力爆发背景下半导体设备领域的核心竞争方向。

韩美半导体早在2020年就推出了第一代HBM混合键合机，积累了丰富的技术研发与验证经验。此次即将推出的第二代原型机，整合了初代设备的技术优势，在纳米级精度、工艺稳定性和产能 yield 等方面实现全面升级，其对准精度可达±100纳米，可对标全球行业标杆水平，适配下一代HBM芯片面积扩大、堆叠层数增加的发展需求。

在产能布局方面，韩美半导体已启动混合键合机工厂建设，该工厂位于韩国仁川 Juan 国家工业园区，总投资达1000亿韩元（约合3400万美元），建筑面积14570平方米，将配备顶级的100级洁净室，以满足纳米级超精密制造需求，计划2027年上半年正式投产运营。

当前，韩美半导体在全球HBM热压键合机市场占据71.2%的主导份额，核心客户包括SK海力士等头部存储厂商。此次推出第二代混合键合机并布局专用工厂，是公司“巩固现有优势、抢占未来赛道”的双线战略体现，既能衔接当下HBM技术迭代需求，也为2029年混合键合技术大规模量产做好准备，将进一步强化其在半导体设备领域的市场地位，助力全球HBM产业升级。