近期，媒体报道三星电子计划今年第三季度生产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司已订购原材料和组件。
三星电子将推出的首款样品是一款平面SiC MOSFET， 聚焦车规级、工业级等高可靠性应用。未来三星还计划拓展沟槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、功率模块等全系列产品，完善碳化硅功率器件产品矩阵。
业界认为，三星在碳化硅领域的动作是其完善半导体产业布局、补齐功率器件短板的关键举措。2023年三星电子便已聘请安森美半导体前高管洪锡俊（Stephen Hong）担任副总裁，负责组建碳化硅功率半导体业务团队，并成立专门的业务部门（V-TF）推动相关技术研发。
同时，三星综合技术院等机构积极参与碳化硅沟槽MOSFET等核心技术的研发，申请了多项相关专利，旨在提升器件性能和可靠性。
生产方面，媒体披露，三星投资约1000亿至2000亿韩元引进先进工艺设备，包括Aixtron的MOCVD设备，用于碳化硅和氮化镓（GaN）晶圆加工。三星计划跳过传统的6英寸晶圆阶段，采用8英寸晶圆制造碳化硅器件，提升生产效率和规模。
除此之外，三星的布局也有望推动韩国碳化硅产业集群建设，助力韩国在全球第三代半导体竞争中占据有利地位。
稍早之前，韩国产业通商资源部（MOTIE）正式宣布成立“下一代功率半导体推进小组”，并发布了旨在强化国家竞争力的五年行动计划。
该计划的核心目标是到2030年，将韩国下一代功率半导体的技术自主率从目前的10%大幅提升至20%，标志着韩国已将基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料的功率半导体提升至“国家战略基础设施”的高度。
