据韩国媒体 BusinessKorea 报道，全球半导体巨头三星电子（Samsung Electronics）近日正式确认，已启动第八代高带宽内存 HBM5 的开发工作。在这一代产品中，三星计划打破行业传统，在其底层芯片（Base Die）上首次应用 2 纳米（nm） 先进制程工艺。
在近日于美国加州举行的行业技术通报会上，三星电子内存业务高管透露了公司在 AI 存储领域的最新路线图：
HBM5（第八代）： 其底层芯片将由三星代工（Foundry）部门采用 2 纳米 工艺制造。相比 HBM4 所使用的 4 纳米工艺，2 纳米制程能显著提升芯片的功耗效率与热管理能力，从而应对 AI 算力飙升带来的散热难题。其核心存储芯片（Core Die）将沿用 1c（第六代 10 纳米级）工艺。
HBM5E（第九代）： 三星计划采取更激进的策略，在核心芯片上提前应用 1d（第七代 10 纳米级）DRAM 工艺。这意味着三星将在极短的时间内完成从 1c 到 1d 的技术跨越，以追求极致的数据传输密度。
