根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2018年第一季的DRAM价格走势，除了图显内存(graphic DRAM)受惠于基期较低以及虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显著上涨外，其余各应用别的内存在第一季约有3-6%不等的季涨幅，今年第一季全球DRAM总营收较2017年第四季成长5.4%，再创新高。
集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查指出，尽管智能手机、笔记本电脑等需求在工作天数恢复下较第一季有所提升，但仍无法抵销3D NAND Flash产能增加及良率改善所带动供给的成长，使得供货商面对较高的库存压力，不得不进一步向下调整价格。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，第二季行动式内存合约价持续受到第一季非市场因素的影响，报价普遍趋于保守，涨价幅度低于其他应用别产品，以分离式行动内存(discrete)来说，第二季平均涨幅落在1%以内，eMCP则受NAND Flash价格下跌影响，平均价格跌幅约1%。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，尽管今年第一季全球服务器市场因淡季导致出货量略为衰退，但包含CPU、Server DRAM在内的相关零部件需求仍维持基本备货力道。进入第二季后，市场需求明显回温，预期服务器出货量将有约一成的季增幅度，以上半年全球服务器出货市占率排名来看，前三名分别为Dell EMC、HPE与Inspur，其出货市占率分别为16.6%、15%、7.2%。
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存晋华集成三大阵营为主。以目前三家厂商的进度来看，其试产时间预计将在2018年下半年，随着三大阵营的量产的时间可能皆落在2019年上半年，揭示着2019年将成为中国存储器生产元年。
