集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存晋华集成三大阵营为主。以目前三家厂商的进度来看，其试产时间预计将在2018年下半年，随着三大阵营的量产的时间可能皆落在2019年上半年，揭示着2019年将成为中国存储器生产元年。
集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）表示，NAND Flash市场第一季已呈现供过于求，尽管第二季随工作天数恢复后需求有所增长，但成长力道仍偏弱，预期NAND Flash将维持小幅供过于求态势，价格方面也将持续走跌。
4月3日，美国贸易代表办公室（USTR）对外正式公布了建议征收中国产品关税的清单，美国贸易代表建议对清单上的中国产品额外征收25%的关税，用来弥补美国遭受的科技损失。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，以标准型内存主流产品DDR4 4GB来看，3月均价维持在33美元，高价约34美元，整体而言，第一季标准型内存价格较去年第四季上涨约5%；第二季受到台湾美光(原瑞晶厂)氮气事件影响，导致DRAM市场供给吃紧的情况延续，预估第二季标准型内存合约价将再上扬约3%。
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
