10月31日，安森美官微宣布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、能效和耐用性树立新标杆。该技术在安森美纽约锡拉丘兹的工厂研发和制造，并已获得涵盖垂直GaN技术的基础工艺、器件设计、制造以及系统创新的130多项全球专利。
据介绍，安森美的垂直氮化镓技术采用单芯片设计，可应对1,200伏及以上高压，高频开关大电流，能效卓越。基于该技术构建的高端电源系统能降低近50%的能量损耗，同时因其更高的工作频率，因而电容器和电感等被动元件尺寸可缩减约一半。而且，与目前市售的横向GaN器件相比，垂直氮化镓器件的体积约为其三分之一。
相比起目前市售的大多数GaN器件采用的非氮化镓衬底，如硅或蓝宝石衬底。对于超高压器件，安森美的垂直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技术，使电流能够垂直流过芯片，而不是沿表面横向流动。这设计可实现更高的功率密度、更优异的热稳定性，且在极端条件下性能依旧稳健。凭借这些优势，vGaN全面超越了硅基氮化镓（GaN-on-silicon）和蓝宝石基氮化镓（GaN-on-sapphire）器件，提供更高的耐压能力、开关频率、可靠性以及耐用性。这有助于开发更小、更轻便、更高效的电源系统，同时降低散热需求和整体系统成本。
新一代 GaN-on-GaN 功率半导体能够使电流垂直流过化合物半导体，能实现更高的工作电压和更快的开关频率，助力AI 数据中心、电动汽车（EV）、可再生能源，以及航空航天等领域实现更节能、更轻量紧凑的系统。
